平成26年度科学技術人材育成費補助事業 「科学技術人材育成のコンソーシアムの構築事業」

平成29年度SCR超微細加工プロセスコースの内容を紹介します

2月7日~9日に行われた産総研SCR超微細加工プロセスコースの内容を紹介します。
今回の参加者は31名。企業を含めた関連機関のCUPAL事業へのご賛同により、企業からも多くの方が参加されました。
【プログラム】
2月7日
午前~午後前半
●CUPAL概要およびTIAの紹介、安全教育、SCRについて ●講義「Si MOSFETの基礎」(写真右)
午後後半 ●SCR内計測装置見学 <1.ゲート絶縁膜形成(M04-02ゲート酸窒化RTO/RTP装置) 2.ポリシリコンゲート電極堆積(M03-09 Poly-Si/a-Si LP-CDV装置) 3.リソグラフィ(L01-104 ArF露光装置) 4.ゲートエッチング(M02-04 Poly-Siエッチング装置) 5.イオン注入(F05-101 低エネルギー高電流イオン注入装置) 6.酸化膜CMP(N07-101 STI W CMP装置)> ●外調機見学



2月8日
午前
●講義「FinFETs and other Multi-gate Transistors 先端デバイス編」(写真右)
午後 ●見学 <1.SCR CMPプロセス実演 2. SCR CDSEM計測実演 3.SCR XSEM計測実演> ●計測実演のまとめ







2月9日
午前前半
●講義「BEOLプロセス技術」
午前後半~午後 ●見学:SCR計測装置等 ●実習:MOSFET測定 ●計測実習のまとめ





感想(抜粋)

∗ CRに入り実際に装置・装置稼働状態を見ることは非常に貴重な機会。また普段、他社の装置など

   を見ることができないため、こちらも貴重。

∗ 自分の装置のユーザーが「どういうことをして、何を目指しているのか」概略的には理解できた

   気がする。

∗ 先端デバイスに関して情報が得られたこと。何が課題か、その対策について知れたこと。

∗ 自社ではプロセスのバックグラウンドを知る機会が殆ど無く、本講義を通してユーザーが何に注

   意してプロセス開発しているか整理できた。

∗ プロセス技術に関して、複数の手法を比較したレビューが大変参考になった。

∗ 測定器の運用方法が聞けて参考になった。

∗ 基礎→先端までのデバイスの流れを、フロントの素子形成、バックの配線共に概要を理解できた

   こと。

∗ FinFETの歴史や性能を向上させる要素技術、今後のプロセストレンドの知識が得られたこと。

∗ BEOLプロセスの紹介、将来三次元集積の研究に活用できると思う。

∗ 分析装置群、プロセス装置群の全容が分かったこと。